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402,1012
== 기초 == 반도체란 ‘반쯤 전기를 통한다’는 뜻으로(semi-conductor), 현세대의 주요 반도체란 실리콘(이산화규소,SiO2) 다층막(웨이퍼)에 특정 소재를 극소량 투입해서 결정물이 가지는 특성이 다이오드 성질을 내거나, 트랜지스터 성질을 내거나, 때로는 회선과 같은 단순도체가 되기도 하고 저항이나 콘덴서가 되기도 하는 특성을 이용해서 구성해왔다. (실리콘 자체는 비전도체임) 트랜지스터는 간단히 설명하자면 일종의 스위치로, 전류는 평소에는 흐르지 않은채로 대기상태로 있다가 게이트(구성도의 n구간)에 특정 전압이 걸리면 전자가 소스(source)에서 드레인(drain)으로 흐르게 된다. 이러한 방식을 통해서 필요한 때 0과 1의 값을 주고 받는 것을 통해서 제어하는 것으로 IC장비를 구성하는 것이다. IC를 구성하는 트랜지스터는 오른쪽 구성도처럼 구성이 되며, 트랜지스터의 세밀도를 높이면(공정을 더 작은 공간으로 집적시키면 - 구성도에서 소스 n+에서 드레인 n+까지의 거리, 즉 전자 e-의 이동거리를 좁히면) 그에 비례해서 저항이 감소하고, 거리가 짧아진만큼 더 낮은 전압으로 전자를 이동시킬 수 있으므로 더 낮은 전력으로 트랜지스터를 작동시킬 수 있게 된다.
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== 기초 == 반도체란 ‘반쯤 전기를 통한다’는 뜻으로(semi-conductor), 현세대의 주요 반도체란 실리콘(이산화규소,SiO2) 다층막(웨이퍼)에 특정 소재를 극소량 투입해서 결정물이 가지는 특성이 다이오드 성질을 내거나, 트랜지스터 성질을 내거나, 때로는 회선과 같은 단순도체가 되기도 하고 저항이나 콘덴서가 되기도 하는 특성을 이용해서 구성해왔다. (실리콘 자체는 비전도체임) 트랜지스터는 간단히 설명하자면 일종의 스위치로, 전류는 평소에는 흐르지 않은채로 대기상태로 있다가 게이트(구성도의 n구간)에 특정 전압이 걸리면 전자가 소스(source)에서 드레인(drain)으로 흐르게 된다. 이러한 방식을 통해서 필요한 때 0과 1의 값을 주고 받는 것을 통해서 제어하는 것으로 IC장비를 구성하는 것이다. IC를 구성하는 트랜지스터는 오른쪽 구성도처럼 구성이 되며, 트랜지스터의 세밀도를 높이면(공정을 더 작은 공간으로 집적시키면 - 구성도에서 소스 n+에서 드레인 n+까지의 거리, 즉 전자 e-의 이동거리를 좁히면) 그에 비례해서 저항이 감소하고, 거리가 짧아진만큼 더 낮은 전압으로 전자를 이동시킬 수 있으므로 더 낮은 전력으로 트랜지스터를 작동시킬 수 있게 된다.
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