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1013,1430
== 문제 == 그러나 공정이 점차 세밀해지고 집적도가 높아짐에 따라서 n구간의 거리가 너무 좁아지게 되면서 ‘터널링효과’가 발생해 소스n+에서 드레인n+를 향해 자유전자가 흘러가게되는 문제가 발생할 확률이 높아지게 된다. 이렇게 통제되지 않은상태로 전자가 오가며 소모되는 전력누수 현상이 발생하면 원래 목표하던 전력소모 감소와 속도향상이라는 목적을 이루기 어려워지게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 업계에서는 오래전부터 실리콘을 기반으로하는 반도체 구조를 벗어나기위한 신소재 개발에 많은 노력을 해왔다. 트랜지스터들이 전력 소비를 억제하면서 계속적으로 더 좋은 성능을 추구하기위해서는 미세공정으로의 이행은 반드시 필요한 작업이기 때문이다. 여기서 필요한 소재는 누전을 막기 위해 충분히 두꺼워야 하지만 높은 유전값(K)을 가져야 한다.
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== 문제 == 그러나 공정이 점차 세밀해지고 집적도가 높아짐에 따라서 n구간의 거리가 너무 좁아지게 되면서 ‘터널링효과’가 발생해 소스n+에서 드레인n+를 향해 자유전자가 흘러가게되는 문제가 발생할 확률이 높아지게 된다. 이렇게 통제되지 않은상태로 전자가 오가며 소모되는 전력누수 현상이 발생하면 원래 목표하던 전력소모 감소와 속도향상이라는 목적을 이루기 어려워지게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 업계에서는 오래전부터 실리콘을 기반으로하는 반도체 구조를 벗어나기위한 신소재 개발에 많은 노력을 해왔다. 트랜지스터들이 전력 소비를 억제하면서 계속적으로 더 좋은 성능을 추구하기위해서는 미세공정으로의 이행은 반드시 필요한 작업이기 때문이다. 여기서 필요한 소재는 누전을 막기 위해 충분히 두꺼워야 하지만 높은 유전값(K)을 가져야 한다.
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