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HKMG
(편집) (3)
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1431,1963
== 해결 == 이를 위해서 수 많은 업체들이 엄청난 금액을 투자해 연구를 계속해왔으나 실질적인 결실을 얻은 것은 2007년에 이르러서였다. 인텔은 수많은 실험을 거쳐 위의 조건을 갖춘 High-K 소재로 이산화하프늄(HfO2)을 도입하게 된다. 그러나 여기에도 문제는 있었다. 그저 High-K 소재로 실리콘을 대체한 것만으로는 전압한계가 불규칙한 문제가 발생해 트랜지스터 스위칭 전압을 높여야 하는 경우가 생긴다. 또한 전자의 산란으로인해 전자 속도가 느려지는 문제가 발생해 유동성이 떨어지는 문제가 발생할 수 있었다. 이 문제를 해결하기 위해서 게이트에 다결정 실리콘 대신 금속 소재 게이트(Metal Gate)를 도입하게 된다. 트랜지스터의 NMOS와 PMOS위치에도 이전과는 다른 소재를 도입함으로서 발생하는 문제를 해결하고 미세 공정에서 발생하던 문제를 모두 휘어잡는데 성공한 것이다. 이를 통해 더 낮은 전력 소모와 더 낮은 발열을 가능케 했다. 이를 통칭으로 High-K/Metal Gate, 약칭해서 HKMG라고 부르는 것이다.
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== 해결 == 이를 위해서 수 많은 업체들이 엄청난 금액을 투자해 연구를 계속해왔으나 실질적인 결실을 얻은 것은 2007년에 이르러서였다. 인텔은 수많은 실험을 거쳐 위의 조건을 갖춘 High-K 소재로 이산화하프늄(HfO2)을 도입하게 된다. 그러나 여기에도 문제는 있었다. 그저 High-K 소재로 실리콘을 대체한 것만으로는 전압한계가 불규칙한 문제가 발생해 트랜지스터 스위칭 전압을 높여야 하는 경우가 생긴다. 또한 전자의 산란으로인해 전자 속도가 느려지는 문제가 발생해 유동성이 떨어지는 문제가 발생할 수 있었다. 이 문제를 해결하기 위해서 게이트에 다결정 실리콘 대신 금속 소재 게이트(Metal Gate)를 도입하게 된다. 트랜지스터의 NMOS와 PMOS위치에도 이전과는 다른 소재를 도입함으로서 발생하는 문제를 해결하고 미세 공정에서 발생하던 문제를 모두 휘어잡는데 성공한 것이다. 이를 통해 더 낮은 전력 소모와 더 낮은 발열을 가능케 했다. 이를 통칭으로 High-K/Metal Gate, 약칭해서 HKMG라고 부르는 것이다.
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